P0770ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0770ED  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P0770ED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0770ED даташит

 ..1. Size:744K  niko-sem
 p0770ed.pdf pdf_icon

P0770ED

N-Channel Enhancement Mode P0770ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 700V 1.5 7A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25

 8.1. Size:766K  unikc
 p0770ei.pdf pdf_icon

P0770ED

P0770EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 700V 7A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 4.4 A IDM 20 Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:544K  unikc
 p0770etf-s.pdf pdf_icon

P0770ED

P0770ETF / P0770ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4 @VGS = 10V 700V 7A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM 2

 8.3. Size:764K  unikc
 p0770eis.pdf pdf_icon

P0770ED

P0770EIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 700V 7A TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 4.4 A IDM 20 Pulsed Drain Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0610BT, P0620ED, P0660ED, P0660EI, P0706BD, P0706BK, P0706BV, P0765JD, IRFB3607, P0770JD, P0770JF, P0865ETF, P0903YK, P0908AK, P1010AT, P1050ETF, P1060ETFNA