P0770JF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0770JF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P0770JF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0770JF даташит

 ..1. Size:316K  niko-sem
 p0770jf.pdf pdf_icon

P0770JF

N-Channel Enhancement Mode P0770JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 700V 630m 7A D G 1. GATE S 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

 8.1. Size:305K  niko-sem
 p0770jd.pdf pdf_icon

P0770JF

N-Channel Enhancement Mode P0770JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 700V 653m 7A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC =

 9.1. Size:766K  unikc
 p0770ei.pdf pdf_icon

P0770JF

P0770EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 700V 7A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 4.4 A IDM 20 Pulsed Drain Current1

 9.2. Size:544K  unikc
 p0770etf-s.pdf pdf_icon

P0770JF

P0770ETF / P0770ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4 @VGS = 10V 700V 7A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0660ED, P0660EI, P0706BD, P0706BK, P0706BV, P0765JD, P0770ED, P0770JD, IRF530, P0865ETF, P0903YK, P0908AK, P1010AT, P1050ETF, P1060ETFNA, P1065ETF, P1120EF