P1610ATF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1610ATF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1610ATF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1610ATF даташит

 ..1. Size:165K  niko-sem
 p1610atf.pdf pdf_icon

P1610ATF

P1610ATF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 34A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 34 Continuous Drain Current2 ID

 7.1. Size:733K  unikc
 p1610at.pdf pdf_icon

P1610ATF

P1610AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 110V 51A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 51 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 32 A IDM 150 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 12

 7.2. Size:142K  niko-sem
 p1610at.pdf pdf_icon

P1610ATF

N-Channel Logic Level Enhancement P1610AT NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 51A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 51 Continuous Drai

 8.1. Size:508K  unikc
 p1610ad.pdf pdf_icon

P1610ATF

P1610AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 110V 45A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 110 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 45 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 28 A IDM 80 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1306EK, P1350ETF, P1406BV, P1410BD, P1410BK, P1560JD, P1560JF, P1610AK, STF13NM60N, P1615ATA, P1615ATFA, P1625ED, P1850EF, P2020YD, P2060JF, P2206BEA, P2206BT