P1615ATFA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1615ATFA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 523 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P1615ATFA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1615ATFA даташит

 ..1. Size:197K  niko-sem
 p1615atfa.pdf pdf_icon

P1615ATFA

N-Channel Enhancement Mode P1615ATFA NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 150V 16.5m 42A 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 25 V T

 7.1. Size:194K  niko-sem
 p1615ata.pdf pdf_icon

P1615ATFA

N-Channel Enhancement Mode P1615ATA NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 150V 16.5m 68A 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC

Другие IGBT... P1406BV, P1410BD, P1410BK, P1560JD, P1560JF, P1610AK, P1610ATF, P1615ATA, 2N60, P1625ED, P1850EF, P2020YD, P2060JF, P2206BEA, P2206BT, P2206BTF, P2206BV