P2206BTF - аналоги и даташиты транзистора

 

P2206BTF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P2206BTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для P2206BTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2206BTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  niko-sem
 p2206btf.pdf pdf_icon

P2206BTF

N-Channel Enhancement Mode P2206BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G60V 22.5m 28A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:313K  niko-sem
 p2206bt.pdf pdf_icon

P2206BTF

N-Channel Enhancement Mode P2206BT NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 22.5m 35A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 8.1. Size:793K  unikc
 p2206bd.pdf pdf_icon

P2206BTF

P2206BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID22.5m @VGS = 10V60V 32ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C32IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C20AIDM100Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:259K  niko-sem
 p2206bea.pdf pdf_icon

P2206BTF

P2206BEA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 20.8m 25A G. GATE D. DRAIN #1 S S S GS. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1615ATA , P1615ATFA , P1625ED , P1850EF , P2020YD , P2060JF , P2206BEA , P2206BT , IRF9640 , P2206BV , P2206HK , P2610BI , P2610BK , P2610BTF , P2A06BT , P3506ED , P3506EK .

History: CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.