P2206BTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P2206BTF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для P2206BTF
P2206BTF Datasheet (PDF)
p2206btf.pdf

N-Channel Enhancement Mode P2206BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G60V 22.5m 28A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =
p2206bt.pdf

N-Channel Enhancement Mode P2206BT NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 22.5m 35A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
p2206bd.pdf

P2206BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID22.5m @VGS = 10V60V 32ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C32IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C20AIDM100Pulsed Drain Current1
p2206bea.pdf

P2206BEA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 20.8m 25A G. GATE D. DRAIN #1 S S S GS. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Vo
Другие MOSFET... P1615ATA , P1615ATFA , P1625ED , P1850EF , P2020YD , P2060JF , P2206BEA , P2206BT , NCEP15T14 , P2206BV , P2206HK , P2610BI , P2610BK , P2610BTF , P2A06BT , P3506ED , P3506EK .
History: CS4N80D | TPCA8A09-H | VBZM30N06 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G
History: CS4N80D | TPCA8A09-H | VBZM30N06 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121