P3710BT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P3710BT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для P3710BT
P3710BT Datasheet (PDF)
p3710bt.pdf
N-Channel Enhancement Mode P3710BTNIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 31A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C 3
p3710btf.pdf
N-Channel Enhancement Mode P3710BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 100V 37m 19A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =
p3710bd.pdf
P3710BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID37m @VGS = 10V100V 25ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C25IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C16AIDM75Pulsed Drain Curren
p3710bv.pdf
P3710BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID37m @VGS = 10V100V 5.2ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4.2AIDM40Pulsed Drain Curren
Другие MOSFET... P3506ED , P3506EK , P3506ET , P3506ETF , P3606BEA , P3606BK , P3606NEA , P3710BK , 60N06 , P3710BTF , P3710HK , P5015CD , P5506BDA , P5506BVA , P5506HVA , P5506NK , P5506NV .
History: IPI65R110CFD | IXTH10N100D | IPI65R190E6
History: IPI65R110CFD | IXTH10N100D | IPI65R190E6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent








