Справочник MOSFET. PA110ED

 

PA110ED Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA110ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PA110ED

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA110ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  niko-sem
pa110ed.pdfpdf_icon

PA110ED

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PA110ED NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 110m -16A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS

 9.1. Size:771K  unikc
pa110bc.pdfpdf_icon

PA110ED

PA110BCN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 4ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C3.5AIDM15Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4.8E

 9.2. Size:465K  unikc
pa110bv.pdfpdf_icon

PA110ED

PA110BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 3.2ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.5AIDM10Pulsed Drain Curr

 9.3. Size:411K  unikc
pa110bd.pdfpdf_icon

PA110ED

PA110BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM60Pulsed Drain Curren

Другие MOSFET... P7510EK , P8010HK , P8806BM , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , PA010BV , PA110BEA , IRFB4110 , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA , PA567EA , PA567JA .

History: PTF10N65 | BRCS040N03DP | BRCS120P04YB | CEM3252 | UM6K31N | BR40N20

 

 
Back to Top

 


 
.