PA110NK - описание и поиск аналогов

 

PA110NK - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA110NK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PA110NK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA110NK технические параметры

 ..1. Size:551K  niko-sem
pa110nk.pdfpdf_icon

PA110NK

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PA110NK NIKO-SEM Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 -100V 180m -10A G. GATE Q1 100V 110m 9A D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage V

 8.1. Size:340K  niko-sem
pa110nv.pdfpdf_icon

PA110NK

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PA110NV NIKO-SEM Effect Transistor SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 -100V 170m -2.5A Q1 100V 110m 2.9A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 100 V Gate-Source V

 9.1. Size:771K  unikc
pa110bc.pdfpdf_icon

PA110NK

PA110BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 110m @VGS = 10V 100V 4A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TA = 100 C 3.5 A IDM 15 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4.8 E

 9.2. Size:465K  unikc
pa110bv.pdfpdf_icon

PA110NK

PA110BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 110m @VGS = 10V 100V 3.2A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.5 A IDM 10 Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... P8806BM , P9006EDA , P9006EVA , P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , 2N7000 , PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA , PA567EA , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA .

 

 
Back to Top

 


 
.