PB6D2BX - описание и поиск аналогов

 

PB6D2BX - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB6D2BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB6D2BX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB6D2BX технические параметры

 ..1. Size:367K  niko-sem
 pb6d2bx.pdf pdf_icon

PB6D2BX

N-Channel Enhancement Mode PB6D2BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 25m 6.3A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE

Другие MOSFET... PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , IRF1010E , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA .

History: PB606BX

 

 
Back to Top

 


 
.