PB6D2BX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PB6D2BX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: PDFN2X2S
Аналог (замена) для PB6D2BX
PB6D2BX Datasheet (PDF)
pb6d2bx.pdf

N-Channel Enhancement Mode PB6D2BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 25m 6.3A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE
Другие MOSFET... PB5A2BX , PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , IRF530 , PB6W8BX , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA .
History: AP3P7R0EMT | IPP530N15N3 | UTM6016G-TN3-R | SSP60R360S2E | BSC030P03NS3G
History: AP3P7R0EMT | IPP530N15N3 | UTM6016G-TN3-R | SSP60R360S2E | BSC030P03NS3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080