Справочник MOSFET. PC015BDA

 

PC015BDA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PC015BDA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PC015BDA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PC015BDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
pc015bda.pdfpdf_icon

PC015BDA

N-Channel Enhancement Mode PC015BDA NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G150V 300m 6.4A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 6.4 Continuous Drain C

 7.1. Size:523K  unikc
pc015bd.pdfpdf_icon

PC015BDA

PC015BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID300m @VGS = 10V150V 6ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C6IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4AIDM15Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 5.5

 9.1. Size:461K  unikc
pc015hv.pdfpdf_icon

PC015BDA

PC015HVDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID300m @VGS = 10V150V 1.6ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C1.6IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C1.3AIDM16Pulsed Drain C

 9.2. Size:271K  niko-sem
pc015hva.pdfpdf_icon

PC015BDA

Dual N-Channel Enhancement Mode PC015HVA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m 150V 1.4A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA =

Другие MOSFET... PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , PB6W8BX , IRLZ44N , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , PD5C1BA , PD5C9BA .

History: S85N042RP | BSC014N04LSI | NCE60P25 | NCE65T1K9I | PDC2603Z | CHM3413KGP

 

 
Back to Top

 


 
.