PD5P8BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD5P8BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD5P8BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD5P8BA даташит

 ..1. Size:267K  niko-sem
 pd5p8ba.pdf pdf_icon

PD5P8BA

N-Channel Enhancement Mode PD5P8BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 20V 12m 34A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие IGBT... PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, PD5B9BA, PD5C1BA, PD5C9BA, PD5E8BA, PD5G3EA, IRFP450, PD600BA, PD601CX, PD606BA, PD608BA, PD609CX, PD616BA, PD618BA, PD676BA