PD6D2BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PD6D2BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PD6D2BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PD6D2BA даташит
pd6d2ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PD6D2BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 40V 25m 21A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 21
Другие IGBT... PD608BA, PD609CX, PD616BA, PD618BA, PD676BA, PD6A4BA, PD6A6BA, PD6B2BA, HY1906P, PE527BA, PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: PD6B2BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet

