PE532DX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE532DX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE532DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE532DX даташит

 ..1. Size:1073K  niko-sem
pe532dx.pdfpdf_icon

PE532DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PE532DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 30V 19m 21A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 8.1. Size:759K  unikc
pe532dy.pdfpdf_icon

PE532DX

PE532DY Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 19m @VGS = 10V 30V 21A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 21 TC = 100 C 13 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 7.5 A

Другие IGBT... PD616BA, PD618BA, PD676BA, PD6A4BA, PD6A6BA, PD6B2BA, PD6D2BA, PE527BA, AO3407, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA, PE5C6JZ