Справочник MOSFET. PE5B7BA

 

PE5B7BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5B7BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE5B7BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5B7BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  niko-sem
 pe5b7ba.pdf pdf_icon

PE5B7BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5B7BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 10m -49A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Другие MOSFET... PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , NCEP15T14 , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA .

History: NTD6415AN-1G | 13N50G-TQ2-R | SI4408DY

 

 
Back to Top

 


 
.