PE5B7BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE5B7BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE5B7BA
PE5B7BA Datasheet (PDF)
pe5b7ba.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5B7BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 10m -49A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
Другие MOSFET... PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , NCEP15T14 , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA .
History: AP50WN750I
History: AP50WN750I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210