PE5B7BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5B7BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5B7BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5B7BA даташит

 ..1. Size:212K  niko-sem
 pe5b7ba.pdf pdf_icon

PE5B7BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5B7BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 10m -49A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Другие IGBT... PE527BA, PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, IRL3713, PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA