PJ611CA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJ611CA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: J-LEAD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PJ611CA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ611CA даташит

 ..1. Size:272K  niko-sem
 pj611ca.pdf pdf_icon

PJ611CA

PJ611CA N- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 59m 4.5A 59m -4.5A P-Channel -30V Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

Другие IGBT... PG3510HEA, PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, 7N65, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA