PJ611CA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJ611CA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
Тип корпуса: J-LEAD
Аналог (замена) для PJ611CA
PJ611CA Datasheet (PDF)
pj611ca.pdf

PJ611CAN- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-LeadField Effect TransistorHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 59m 4.5A 59m -4.5A P-Channel -30V Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S
Другие MOSFET... PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , STP75NF75 , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA .
History: RTQ025P02FRA | AM2342 | RV2C001ZP | PSMN5R0-100ES | LSB60R030HT | NCE60NF080F | 1N65L-TN3-R
History: RTQ025P02FRA | AM2342 | RV2C001ZP | PSMN5R0-100ES | LSB60R030HT | NCE60NF080F | 1N65L-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d