PK5B3BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK5B3BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 507 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK5B3BA
PK5B3BA Datasheet (PDF)
pk5b3ba.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5B3BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 8m -74A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Loss
Другие MOSFET... PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , 2N7000 , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN , PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA .
History: PK5G3EA | PK5B9BA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270