PK8C2BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK8C2BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK8C2BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK8C2BA даташит

 ..1. Size:412K  niko-sem
 pk8c2ba.pdf pdf_icon

PK8C2BA

N-Channel Enhancement Mode PK8C2BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 9m 43A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GA

Другие IGBT... PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX, PK844DS, PK884DS, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA, NCEP15T14, PK8D8BA, PKC46DY, PKCD0BB, PKCE9BB, PKCH6BB, PKCK2BB, PKCP4EB, PKCR0BB