Справочник MOSFET. PKE30BB

 

PKE30BB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PKE30BB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 179 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1316 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PKE30BB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  niko-sem
 pke30bb.pdf pdf_icon

PKE30BB

N-Channel Enhancement Mode PKE30BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 1.2m 179A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTC5806Q8 | TMD7N65H | IRLR3636TRPBF | SQ2361ES | TK3A60DA | 4N65KL-T2Q-R

 

 
Back to Top

 


 
.