PM5Q4BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM5Q4BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для PM5Q4BA
PM5Q4BA Datasheet (PDF)
pm5q4ba.pdf
PM5Q4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G20V 25m 5.3A SFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE
Другие MOSFET... PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , 8N60 , PM5T4EA , PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA , PP1410AF , PP1410AK , PP1515AD , PP1515AF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566


