PM5Q4BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM5Q4BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для PM5Q4BA
PM5Q4BA Datasheet (PDF)
pm5q4ba.pdf

PM5Q4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G20V 25m 5.3A SFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE
Другие MOSFET... PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , K2611 , PM5T4EA , PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA , PP1410AF , PP1410AK , PP1515AD , PP1515AF .
History: CJPF12N60 | FDD86369-F085 | NCE70N100I | 4N65KL-T2Q-R | PJP5NA50 | IXTA220N075T | MTDP4953BDYQ8
History: CJPF12N60 | FDD86369-F085 | NCE70N100I | 4N65KL-T2Q-R | PJP5NA50 | IXTA220N075T | MTDP4953BDYQ8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566