PM5Q4BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM5Q4BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM5Q4BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5Q4BA даташит

 ..1. Size:233K  niko-sem
 pm5q4ba.pdf pdf_icon

PM5Q4BA

PM5Q4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 20V 25m 5.3A S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE

Другие IGBT... PM515BA, PM555BZ, PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA, 8N60, PM5T4EA, PM5W6EA, PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF