Справочник MOSFET. PP2915AD

 

PP2915AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PP2915AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PP2915AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP2915AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pp2915ad.pdf pdf_icon

PP2915AD

N-Channel Logic Level Enhancement PP2915AD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 29m 150V 34A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 34 Continuous Dra

 7.1. Size:368K  niko-sem
 pp2915ak.pdf pdf_icon

PP2915AD

PP2915AK N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID DD D D D150V 29m 31A GG. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Vo

Другие MOSFET... PP1410AD , PP1410AEA , PP1410AF , PP1410AK , PP1515AD , PP1515AF , PP1515AK , PP1C06AKB , 60N06 , PP2915AK , PP2G10AS , PP2G10AT , PP2H06AK , PP2H06AT , PP2H06BK , PP4515BD , PP4515BK .

History: SVF7N60CD | IRF2807LPBF | IXFR48N50Q | IPW65R080CFD | APM4532KC | SVG096R5NT | SVG094R1NKL

 

 
Back to Top

 


 
.