PP2915AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PP2915AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PP2915AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP2915AD даташит

 ..1. Size:250K  niko-sem
 pp2915ad.pdf pdf_icon

PP2915AD

N-Channel Logic Level Enhancement PP2915AD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 29m 150V 34A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 34 Continuous Dra

 7.1. Size:368K  niko-sem
 pp2915ak.pdf pdf_icon

PP2915AD

PP2915AK N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D D 150V 29m 31A G G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Vo

Другие IGBT... PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF, PP1515AK, PP1C06AKB, IRLB3034, PP2915AK, PP2G10AS, PP2G10AT, PP2H06AK, PP2H06AT, PP2H06BK, PP4515BD, PP4515BK