Справочник MOSFET. PP9H06BV

 

PP9H06BV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PP9H06BV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 571 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для PP9H06BV

 

 

PP9H06BV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  niko-sem
 pp9h06bv.pdf

PP9H06BV PP9H06BV

PP9H06BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 9.8m 10.6A D G. GATE D. DRAIN S. SOURCE G100% UIS Tested 100% Rg Tested SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V G

 7.1. Size:298K  niko-sem
 pp9h06bk.pdf

PP9H06BV PP9H06BV

N-Channel Enhancement Mode PP9H06BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 9.1m 60A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt

 7.2. Size:207K  niko-sem
 pp9h06bd.pdf

PP9H06BV PP9H06BV

PP9H06BD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 9.8m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

 7.3. Size:370K  niko-sem
 pp9h06bea.pdf

PP9H06BV PP9H06BV

N-Channel Enhancement Mode PP9H06BEA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE G60V 9.8m 47A D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt

 7.4. Size:206K  niko-sem
 pp9h06bi.pdf

PP9H06BV PP9H06BV

PP9H06BI N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G60V 9.8m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top