PW5D8EA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PW5D8EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-723
Аналог (замена) для PW5D8EA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PW5D8EA даташит
pw5d8ea.pdf
N-Channel Logic Level Enhancement PW5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-723 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD P
Другие IGBT... PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA, AO3401, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ, PX5D8EA, PX5D8JZ-T, PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet

