PX567EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PX567EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для PX567EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX567EA даташит

 ..1. Size:211K  niko-sem
 px567ea.pdf pdf_icon

PX567EA

P-Channel Logic Level Enhancement PX567EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.5A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ES

 9.1. Size:260K  niko-sem
 px567jz.pdf pdf_icon

PX567EA

Dual P-Channel Logic Level PX567JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, IRFP260, PX567JZ, PX5D8EA, PX5D8JZ-T, PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ