PX5S6EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PX5S6EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для PX5S6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX5S6EA даташит

 ..1. Size:305K  niko-sem
 px5s6ea.pdf pdf_icon

PX5S6EA

N-Channel Logic Level Enhancement PX5S6EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 450m 0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

 9.1. Size:224K  niko-sem
 px5s6jz.pdf pdf_icon

PX5S6EA

Dual N-Channel Logic Level PX5S6JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.57A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

Другие IGBT... PV6D2DA, PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ, PX5D8EA, PX5D8JZ-T, K4145, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA, PZ5S6EA