PZ5G7EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ5G7EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ5G7EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ5G7EA даташит

 ..1. Size:336K  niko-sem
 pz5g7ea.pdf pdf_icon

PZ5G7EA

P-Channel Logic Level Enhancement PZ5G7EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 0.9 -0.42A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ES

Другие IGBT... PX5D8JZ-T, PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, RFP50N06, PZ5S6EA, PZ5S6JZ, PZ607UZ, PZC010BL, PZC010HK, PZF010HK, SJMN030R60SCW, SJMN041R65SW