PZ5G7EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PZ5G7EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
Аналог (замена) для PZ5G7EA
PZ5G7EA Datasheet (PDF)
pz5g7ea.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement PZ5G7EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 0.9 -0.42A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ES
Другие MOSFET... PX5D8JZ-T , PX5S6EA , PX5S6JZ , PX607UZ , PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , PZ5D8JZ , AON7506 , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , PZF010HK , SJMN030R60SCW , SJMN041R65SW .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement