Справочник MOSFET. PZ5S6EA

 

PZ5S6EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ5S6EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для PZ5S6EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ5S6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  niko-sem
 pz5s6ea.pdf pdf_icon

PZ5S6EA

N-Channel Logic Level Enhancement PZ5S6EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.61A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

 9.1. Size:226K  niko-sem
 pz5s6jz.pdf pdf_icon

PZ5S6EA

Dual N-Channel Logic Level PZ5S6JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.57A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

Другие MOSFET... PX5S6EA , PX5S6JZ , PX607UZ , PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , AO4407 , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , PZF010HK , SJMN030R60SCW , SJMN041R65SW , SJMN041RH65SW .

History: IRFP140NPBF | RMW200N03 | DG4N65-TO251 | WMLL010N04LG4 | STU80N4F6 | FCMT199N60 | R6515KNJ

 

 
Back to Top

 


 
.