PZ5S6EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZ5S6EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для PZ5S6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ5S6EA даташит

 ..1. Size:226K  niko-sem
 pz5s6ea.pdf pdf_icon

PZ5S6EA

N-Channel Logic Level Enhancement PZ5S6EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.61A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

 9.1. Size:226K  niko-sem
 pz5s6jz.pdf pdf_icon

PZ5S6EA

Dual N-Channel Logic Level PZ5S6JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.57A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

Другие IGBT... PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA, IRF530, PZ5S6JZ, PZ607UZ, PZC010BL, PZC010HK, PZF010HK, SJMN030R60SCW, SJMN041R65SW, SJMN041RH65SW