SJMN088R65FD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN088R65FD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN088R65FD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN088R65FD даташит

 ..1. Size:785K  auk
 sjmn088r65fd.pdf pdf_icon

SJMN088R65FD

SJMN088R65FD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.088 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=76nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN088R65FD N088R65

 3.1. Size:782K  auk
 sjmn088r65f.pdf pdf_icon

SJMN088R65FD

SJMN088R65F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.088 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=76nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN088R65F N088R65 T

 4.1. Size:697K  auk
 sjmn088r65w.pdf pdf_icon

SJMN088R65FD

SJMN088R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.088 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=76nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-247 Part Number Marking Package SJMN088R65W N088R65 TO-24

 9.1. Size:701K  auk
 sjmn041r65sw.pdf pdf_icon

SJMN088R65FD

SJMN041R65SW N-Channel Super-junction MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode trr=185ns(typ.) Low drain-source On-resistance R =0.041 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN041R65SW N041R65S TO-247 Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN030R60SCW, SJMN041R65SW, SJMN041RH65SW, SJMN065R65W, SJMN070R60SW, SJMN074R65SW, SJMN074RH65SW, SJMN088R65F, 5N60, SJMN088R65W, SJMN099R60ZSW, SJMN099R65SW, SJMN099RH65SW, SJMN165R65ZF, SJMN180R65CB, SJMN180R65CF, SJMN190R60F