SJMN180R65CF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SJMN180R65CF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1203 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SJMN180R65CF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SJMN180R65CF даташит
sjmn180r65cf.pdf
SJMN180R65CF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.18 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=32nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN1
sjmn180r65cb.pdf
SJMN180R65CB Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.18 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge Qg=32nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package
sjmn1k2r80zd.pdf
SJMN1K2R80ZD Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g D Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN1K2R80ZD SJMN1K2R80Z TO-252 Marking Information Column 1, 2
sjmn190r65w.pdf
SJMN190R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN190R65W N190R65 TO-247
Другие IGBT... SJMN088R65F, SJMN088R65FD, SJMN088R65W, SJMN099R60ZSW, SJMN099R65SW, SJMN099RH65SW, SJMN165R65ZF, SJMN180R65CB, IRF2807, SJMN190R60F, SJMN190R65B, SJMN190R65F, SJMN190R65W, SJMN1K2R80ZD, SJMN1K4R90ZD, SJMN1K6R70D, SJMN230R70ZF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103










