Справочник MOSFET. SJMN190R65F

 

SJMN190R65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SJMN190R65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 846 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для SJMN190R65F

 

 

SJMN190R65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  auk
 sjmn190r65f.pdf

SJMN190R65F SJMN190R65F

SJMN190R65FSuper Junction MOSFETN-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN190R65F N190R65 TO-2

 4.1. Size:764K  auk
 sjmn190r65w.pdf

SJMN190R65F SJMN190R65F

SJMN190R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN190R65W N190R65 TO-247

 4.2. Size:579K  auk
 sjmn190r65b.pdf

SJMN190R65F SJMN190R65F

SJMN190R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN190R65B N

 5.1. Size:818K  auk
 sjmn190r60f.pdf

SJMN190R65F SJMN190R65F

SJMN190R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=36nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN190R60F N190R60 TO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top