Справочник MOSFET. SJMN190R65F

 

SJMN190R65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN190R65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 846 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN190R65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  auk
 sjmn190r65f.pdf pdf_icon

SJMN190R65F

SJMN190R65FSuper Junction MOSFETN-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN190R65F N190R65 TO-2

 4.1. Size:764K  auk
 sjmn190r65w.pdf pdf_icon

SJMN190R65F

SJMN190R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN190R65W N190R65 TO-247

 4.2. Size:579K  auk
 sjmn190r65b.pdf pdf_icon

SJMN190R65F

SJMN190R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN190R65B N

 5.1. Size:818K  auk
 sjmn190r60f.pdf pdf_icon

SJMN190R65F

SJMN190R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=36nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN190R60F N190R60 TO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NDS9948 | IRLU2908 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | FDB150N10

 

 
Back to Top

 


 
.