SJMN250R80ZB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN250R80ZB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SJMN250R80ZB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN250R80ZB даташит

 ..1. Size:630K  auk
 sjmn250r80zb.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZB

SJMN250R80ZB Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss D Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package SJMN250R80ZB SJMN250R80Z TO-263 (D2-PAK) Marking Inform

 3.1. Size:633K  auk
 sjmn250r80zw.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZB

SJMN250R80ZW Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN250R80ZW N250R80Z TO-247 Marking Information Column 1 Manufac

 3.2. Size:657K  auk
 sjmn250r80zf.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZB

SJMN250R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZF N250R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1

 3.3. Size:653K  auk
 sjmn250r80zp.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZB

SJMN250R80ZP Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220AB-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZP N250R80Z TO-220AB-3L Marking Information Column

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN190R60F, SJMN190R65B, SJMN190R65F, SJMN190R65W, SJMN1K2R80ZD, SJMN1K4R90ZD, SJMN1K6R70D, SJMN230R70ZF, STP65NF06, SJMN250R80ZF, SJMN250R80ZP, SJMN250R80ZW, SJMN290R60ZD, SJMN290R60ZF, SJMN360R70ZD, SJMN360R70ZF, SJMN380R60D