Справочник MOSFET. SJMN250R80ZP

 

SJMN250R80ZP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN250R80ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN250R80ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  auk
 sjmn250r80zp.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZP

SJMN250R80ZP Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220AB-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZP N250R80Z TO-220AB-3L Marking Information Column

 3.1. Size:633K  auk
 sjmn250r80zw.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZP

SJMN250R80ZW Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN250R80ZW N250R80Z TO-247 Marking Information Column 1: Manufac

 3.2. Size:657K  auk
 sjmn250r80zf.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZP

SJMN250R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZF N250R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1:

 3.3. Size:630K  auk
 sjmn250r80zb.pdf pdf_icon

SJMN250R80ZP

SJMN250R80ZB Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss D Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package SJMN250R80ZB SJMN250R80Z TO-263 (D2-PAK) Marking Inform

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | PK5V8EN | VBE1102N | 4N65KL-T2Q-R | OSG65R099FF | SQ2361ES

 

 
Back to Top

 


 
.