Справочник MOSFET. SJMN290R60ZD

 

SJMN290R60ZD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN290R60ZD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN290R60ZD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  auk
 sjmn290r60zd.pdf pdf_icon

SJMN290R60ZD

SJMN290R60ZD Super Junction MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) gD Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN290R60ZD SJMN290R60Z TO-252 Marking Information SJMN Column

 3.1. Size:626K  auk
 sjmn290r60zf.pdf pdf_icon

SJMN290R60ZD

SJMN290R60ZF Super Junction MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN290R60ZF N290R60Z TO-220F-3L Marking Information Column 1: Ma

 9.1. Size:643K  auk
 sjmn230r70zf.pdf pdf_icon

SJMN290R60ZD

SJMN230R70ZF Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =750V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.2 (Typ.) Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN230R70ZF N230R70Z TO-22

 9.2. Size:633K  auk
 sjmn250r80zw.pdf pdf_icon

SJMN290R60ZD

SJMN250R80ZW Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN250R80ZW N250R80Z TO-247 Marking Information Column 1: Manufac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.