Справочник MOSFET. SJMN360R70ZD

 

SJMN360R70ZD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN360R70ZD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN360R70ZD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  auk
 sjmn360r70zd.pdf pdf_icon

SJMN360R70ZD

SJMN360R70ZD Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) gD Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN360R70ZD SJMN360R70Z TO-252 Marking Information Column

 3.1. Size:636K  auk
 sjmn360r70zf.pdf pdf_icon

SJMN360R70ZD

SJMN360R70ZF Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN360R70ZF N360R70Z TO-220F-3L Marking Information Colum

 9.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN360R70ZD

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 9.2. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN360R70ZD

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON7702 | IRF7425PBF-1 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | NCEP045N10

 

 
Back to Top

 


 
.