SJMN380R60D - аналоги и даташиты транзистора

 

SJMN380R60D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SJMN380R60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SJMN380R60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  auk
 sjmn380r60d.pdf pdf_icon

SJMN380R60D

SJMN380R60D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN380R60D SJMN380R60

 4.1. Size:811K  auk
 sjmn380r60f.pdf pdf_icon

SJMN380R60D

SJMN380R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN380R60F N380R60 TO

 5.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R60D

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 5.2. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R60D

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SJMN250R80ZB , SJMN250R80ZF , SJMN250R80ZP , SJMN250R80ZW , SJMN290R60ZD , SJMN290R60ZF , SJMN360R70ZD , SJMN360R70ZF , 8N60 , SJMN380R60F , SJMN380R65B , SJMN380R65CD , SJMN380R65CF , SJMN380R65D , SJMN380R65F , SJMN380R65MD , SJMN380R65MF .

History: H5N5006LD | KHB4D0N80P1 | INJ0002AC1

 

 
Back to Top

 


 
.