SJMN380R60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN380R60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 431 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN380R60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R60F даташит

 ..1. Size:811K  auk
 sjmn380r60f.pdf pdf_icon

SJMN380R60F

SJMN380R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =650V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN380R60F N380R60 TO

 4.1. Size:504K  auk
 sjmn380r60d.pdf pdf_icon

SJMN380R60F

SJMN380R60D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =650V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN380R60D SJMN380R60

 5.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R60F

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 5.2. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R60F

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN250R80ZF, SJMN250R80ZP, SJMN250R80ZW, SJMN290R60ZD, SJMN290R60ZF, SJMN360R70ZD, SJMN360R70ZF, SJMN380R60D, AON7403, SJMN380R65B, SJMN380R65CD, SJMN380R65CF, SJMN380R65D, SJMN380R65F, SJMN380R65MD, SJMN380R65MF, SJMN380R65ZD