SJMN380R65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN380R65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 431 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SJMN380R65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R65B даташит

 ..1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R65B

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 4.1. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R65B

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

 4.2. Size:716K  auk
 sjmn380r65cd.pdf pdf_icon

SJMN380R65B

SJMN380R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge Qg=17.5nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN38

 4.3. Size:781K  auk
 sjmn380r65f.pdf pdf_icon

SJMN380R65B

SJMN380R65F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN380R65F N380R65 TO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN250R80ZP, SJMN250R80ZW, SJMN290R60ZD, SJMN290R60ZF, SJMN360R70ZD, SJMN360R70ZF, SJMN380R60D, SJMN380R60F, K2611, SJMN380R65CD, SJMN380R65CF, SJMN380R65D, SJMN380R65F, SJMN380R65MD, SJMN380R65MF, SJMN380R65ZD, SJMN380R65ZF