Справочник MOSFET. SJMN380R65CD

 

SJMN380R65CD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN380R65CD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R65CD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  auk
 sjmn380r65cd.pdf pdf_icon

SJMN380R65CD

SJMN380R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge: Qg=17.5nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN38

 3.1. Size:757K  auk
 sjmn380r65cf.pdf pdf_icon

SJMN380R65CD

SJMN380R65CF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=17.5nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJ

 4.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R65CD

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 4.2. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R65CD

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HCD90R450 | HUFA75829D3ST | SFW9630 | 3N170 | 2SK4018 | IRFF9132 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.