SJMN380R65MF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN380R65MF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 899 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN380R65MF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R65MF даташит

 ..1. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

 3.1. Size:792K  auk
 sjmn380r65md.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65MD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJM

 4.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 4.2. Size:716K  auk
 sjmn380r65cd.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge Qg=17.5nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN38

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN380R60D, SJMN380R60F, SJMN380R65B, SJMN380R65CD, SJMN380R65CF, SJMN380R65D, SJMN380R65F, SJMN380R65MD, 60N06, SJMN380R65ZD, SJMN380R65ZF, SJMN380R70B, SJMN380R70D, SJMN380R70F, SJMN380R80ZB, SJMN380R80ZFD, SJMN600R60D