Справочник MOSFET. SJMN380R65MF

 

SJMN380R65MF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN380R65MF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 899 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R65MF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

 3.1. Size:792K  auk
 sjmn380r65md.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65MD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJM

 4.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 4.2. Size:716K  auk
 sjmn380r65cd.pdf pdf_icon

SJMN380R65MF

SJMN380R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.38 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge: Qg=17.5nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN38

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZVP3310ASTOB | WMJ38N60C2 | NCE60N390I | HAT1040T | AO6804A | AP2312GN | OSG60R180ISF

 

 
Back to Top

 


 
.