SJMN380R65ZD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN380R65ZD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SJMN380R65ZD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R65ZD даташит

 ..1. Size:680K  auk
 sjmn380r65zd.pdf pdf_icon

SJMN380R65ZD

SJMN380R65ZD Super Junction MOSFET 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g D Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN380R65ZD SJMN380R65Z TO-252 Marking Information Column

 3.1. Size:631K  auk
 sjmn380r65zf.pdf pdf_icon

SJMN380R65ZD

SJMN380R65ZF Super Junction MOSFET 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN380R65ZF N380R65Z TO-220F-3L Marking Information Colum

 4.1. Size:662K  auk
 sjmn380r65b.pdf pdf_icon

SJMN380R65ZD

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 4.2. Size:846K  auk
 sjmn380r65mf.pdf pdf_icon

SJMN380R65ZD

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN380R60F, SJMN380R65B, SJMN380R65CD, SJMN380R65CF, SJMN380R65D, SJMN380R65F, SJMN380R65MD, SJMN380R65MF, IRFP064N, SJMN380R65ZF, SJMN380R70B, SJMN380R70D, SJMN380R70F, SJMN380R80ZB, SJMN380R80ZFD, SJMN600R60D, SJMN600R60F