SJMN380R70F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN380R70F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN380R70F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R70F даташит

 ..1. Size:749K  auk
sjmn380r70f.pdfpdf_icon

SJMN380R70F

SJMN380R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN380R70F N380R70 TO

 4.1. Size:693K  auk
sjmn380r70d.pdfpdf_icon

SJMN380R70F

SJMN380R70D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) D Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN380R70D SJMN380R

 4.2. Size:677K  auk
sjmn380r70b.pdfpdf_icon

SJMN380R70F

SJMN380R70B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) D Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package SJMN380R70B SJ

 6.1. Size:662K  auk
sjmn380r65b.pdfpdf_icon

SJMN380R70F

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

Другие IGBT... SJMN380R65D, SJMN380R65F, SJMN380R65MD, SJMN380R65MF, SJMN380R65ZD, SJMN380R65ZF, SJMN380R70B, SJMN380R70D, IRF3205, SJMN380R80ZB, SJMN380R80ZFD, SJMN600R60D, SJMN600R60F, SJMN600R65B, SJMN600R65CD, SJMN600R65CF, SJMN600R65D