SJMN380R80ZB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN380R80ZB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SJMN380R80ZB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN380R80ZB даташит

 ..1. Size:697K  auk
sjmn380r80zb.pdfpdf_icon

SJMN380R80ZB

SJMN380R80ZB Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss D Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package SJMN380R80ZB SJMN380R80Z TO-263 (D2-PAK) Marking Informa

 3.1. Size:801K  auk
sjmn380r80zfd.pdfpdf_icon

SJMN380R80ZB

SJMN380R80ZFD Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN380R80ZFD N380R80Z TO-220F-3L Marking Information Column

 6.1. Size:662K  auk
sjmn380r65b.pdfpdf_icon

SJMN380R80ZB

SJMN380R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN380R65B SJM

 6.2. Size:846K  auk
sjmn380r65mf.pdfpdf_icon

SJMN380R80ZB

SJMN380R65MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.38 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=27nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

Другие IGBT... SJMN380R65F, SJMN380R65MD, SJMN380R65MF, SJMN380R65ZD, SJMN380R65ZF, SJMN380R70B, SJMN380R70D, SJMN380R70F, IRF740, SJMN380R80ZFD, SJMN600R60D, SJMN600R60F, SJMN600R65B, SJMN600R65CD, SJMN600R65CF, SJMN600R65D, SJMN600R65F