SJMN600R65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN600R65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SJMN600R65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R65B даташит

 ..1. Size:586K  auk
 sjmn600r65b.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN600R65B S

 4.1. Size:732K  auk
 sjmn600r65cd.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) D Ultra low gate charge Qg=12nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN6

 4.2. Size:779K  auk
 sjmn600r65f.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R65F N600R65 T

 4.3. Size:473K  auk
 sjmn600r65d.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN600R65D SJMN600R65

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN380R65ZF, SJMN380R70B, SJMN380R70D, SJMN380R70F, SJMN380R80ZB, SJMN380R80ZFD, SJMN600R60D, SJMN600R60F, IRF540, SJMN600R65CD, SJMN600R65CF, SJMN600R65D, SJMN600R65F, SJMN600R70D, SJMN600R70I, SJMN600R70MD, SJMN600R70MF