Справочник MOSFET. SJMN600R65B

 

SJMN600R65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN600R65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SJMN600R65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  auk
 sjmn600r65b.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN600R65B S

 4.1. Size:732K  auk
 sjmn600r65cd.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=12nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN6

 4.2. Size:779K  auk
 sjmn600r65f.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R65F N600R65 T

 4.3. Size:473K  auk
 sjmn600r65d.pdf pdf_icon

SJMN600R65B

SJMN600R65D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN600R65D SJMN600R65

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SJMN380R65ZF , SJMN380R70B , SJMN380R70D , SJMN380R70F , SJMN380R80ZB , SJMN380R80ZFD , SJMN600R60D , SJMN600R60F , IRF540N , SJMN600R65CD , SJMN600R65CF , SJMN600R65D , SJMN600R65F , SJMN600R70D , SJMN600R70I , SJMN600R70MD , SJMN600R70MF .

History: 5N60G-TM3-T | MMD80R1K2QZRH | KO3400 | JCS3910V | IPL65R1K0C6S | IRFIB7N50APBF | SI2312BDS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.