Справочник MOSFET. SJMN600R65F

 

SJMN600R65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SJMN600R65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для SJMN600R65F

 

 

SJMN600R65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  auk
 sjmn600r65f.pdf

SJMN600R65F SJMN600R65F

SJMN600R65F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R65F N600R65 T

 4.1. Size:732K  auk
 sjmn600r65cd.pdf

SJMN600R65F SJMN600R65F

SJMN600R65CD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=12nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN6

 4.2. Size:586K  auk
 sjmn600r65b.pdf

SJMN600R65F SJMN600R65F

SJMN600R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN600R65B S

 4.3. Size:473K  auk
 sjmn600r65d.pdf

SJMN600R65F SJMN600R65F

SJMN600R65D Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information Part Number Marking Package TO-252 SJMN600R65D SJMN600R65

 4.4. Size:773K  auk
 sjmn600r65cf.pdf

SJMN600R65F SJMN600R65F

SJMN600R65CF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=12nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN6

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top