SJMN600R70MF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN600R70MF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN600R70MF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R70MF даташит

 ..1. Size:803K  auk
sjmn600r70mf.pdfpdf_icon

SJMN600R70MF

SJMN600R70MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=15nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

 3.1. Size:764K  auk
sjmn600r70md.pdfpdf_icon

SJMN600R70MF

SJMN600R70MD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge Qg=15nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SJMN600R

 4.1. Size:567K  1
sjmn600r70f.pdfpdf_icon

SJMN600R70MF

SJMN600R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN600R70F N600R70 T

 4.2. Size:629K  auk
sjmn600r70zf.pdfpdf_icon

SJMN600R70MF

SJMN600R70ZF Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R70ZF N600R70Z TO-220F-3L Marking Information Colum

Другие IGBT... SJMN600R65B, SJMN600R65CD, SJMN600R65CF, SJMN600R65D, SJMN600R65F, SJMN600R70D, SJMN600R70I, SJMN600R70MD, IRF640N, SJMN600R70ZD, SJMN600R70ZF, SJMN670R80ZD, SJMN670R80ZF, SJMN850R80ZD, SJMN850R80ZF, SMK0260DN, SMK0260F