Справочник MOSFET. SJMN600R70ZF

 

SJMN600R70ZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN600R70ZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R70ZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  auk
 sjmn600r70zf.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZF

SJMN600R70ZF Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R70ZF N600R70Z TO-220F-3L Marking Information Colum

 3.1. Size:678K  auk
 sjmn600r70zd.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZF

SJMN600R70ZD Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) gD Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN600R70ZD SJMN600R70Z TO-252 Marking Information Column

 4.1. Size:567K  1
 sjmn600r70f.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZF

SJMN600R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =750V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN600R70F N600R70 T

 4.2. Size:803K  auk
 sjmn600r70mf.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZF

SJMN600R70MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =750V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=15nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FTK5N80DD | SRT15N110HTC | STU330S | AP98T03GP-HF | SRT10N120LD | IRFI840G | 2SJ601-Z

 

 
Back to Top

 


 
.