SJMN670R80ZD - аналоги, параметры транзистора

SJMN670R80ZD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN670R80ZD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SJMN670R80ZD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SJMN670R80ZD даташит

..1. Size:686K auk
sjmn670r80zd.pdf pdf_icon

SJMN670R80ZD Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g D Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN670R80ZD SJMN670R80Z TO-252 Marking Information Column 1,

3.1. Size:638K auk
sjmn670r80zf.pdf pdf_icon

SJMN670R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN670R80ZF N670R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1

9.1. Size:567K 1
sjmn600r70f.pdf pdf_icon

SJMN600R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN600R70F N600R70 T

9.2. Size:778K auk
sjmn600r60f.pdf pdf_icon

SJMN600R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =650V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R60F N600R60 T