Справочник MOSFET. SRN0765D

 

SRN0765D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SRN0765D
   Маркировка: SRN0765
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SRN0765D

 

 

SRN0765D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  auk
 srn0765d.pdf

SRN0765D SRN0765D

SRN0765D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.2 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =30nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =8.5pF (Typ.) D rss Halogen free and RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252

 7.1. Size:807K  auk
 srn0765f.pdf

SRN0765D SRN0765D

SRN0765F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.2 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =30nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =8.5pF (Typ.) rss Lower EMI noise RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top