SUN830D - описание и поиск аналогов

 

SUN830D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SUN830D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUN830D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN830D технические параметры

 ..1. Size:431K  auk
 sun830d.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830D Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =13.5nC (Typ.) g D Low reverse transfer capacitance C =8pF (Typ.) rss Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252

 0.1. Size:660K  auk
 sun830dn.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830DN Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =13.5nC (Typ.) D g Low reverse transfer capacitance C =8pF (Typ.) rss Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Packa

 8.1. Size:482K  auk
 sun830f.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =13nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =8pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN830F SUN830 TO

 8.2. Size:583K  auk
 sun830i.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830I Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features BV =500V Min. DSS Low gate charge Q =13.5nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information Part Number Marking Package I-PAK SUN830I SUN830 I-PAK Marking Information SUN Column

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SUN50A20CI , SUN82A20CI , AO3407 , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E , AOCR36330 , AOCR32326 .

 

 
Back to Top

 


 
.