SUN830D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SUN830D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SUN830D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN830D даташит

 ..1. Size:431K  auk
 sun830d.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830D Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =13.5nC (Typ.) g D Low reverse transfer capacitance C =8pF (Typ.) rss Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252

 0.1. Size:660K  auk
 sun830dn.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830DN Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =13.5nC (Typ.) D g Low reverse transfer capacitance C =8pF (Typ.) rss Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Packa

 8.1. Size:482K  auk
 sun830f.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =13nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =8pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN830F SUN830 TO

 8.2. Size:583K  auk
 sun830i.pdf pdf_icon

SUN830D

SUN830I Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features BV =500V Min. DSS Low gate charge Q =13.5nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =1.3 (Typ.) DS(on) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information Part Number Marking Package I-PAK SUN830I SUN830 I-PAK Marking Information SUN Column

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SRN1860FD, SRN1865FD, SUN05A25F, SUN05A50ZD, SUN05A50ZF, SUN09A40D, SUN50A20CI, SUN82A20CI, 4N60, SUN830DN, SUN830F, SUN830I, QM1830M3, AOCR33105E, AOCR35101E, AOCR36330, AOCR32326