QM1830M3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM1830M3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для QM1830M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM1830M3 даташит

No data!

Другие IGBT... SUN05A50ZF, SUN09A40D, SUN50A20CI, SUN82A20CI, SUN830D, SUN830DN, SUN830F, SUN830I, IRF2807, AOCR33105E, AOCR35101E, AOCR36330, AOCR32326, AOCA32112E, AOCA32116E, AOCA24108E, AOCA32106E