AOCA32301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA32301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN1.90X1.30A-4L

Аналог (замена) для AOCA32301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA32301 даташит

 ..1. Size:767K  aosemi
 aoca32301.pdf pdf_icon

AOCA32301

AOCA32301 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:732K  aosemi
 aoca32317.pdf pdf_icon

AOCA32301

AOCA32317 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:590K  aosemi
 aoca32112e.pdf pdf_icon

AOCA32301

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:602K  aosemi
 aoca32107e.pdf pdf_icon

AOCA32301

AOCA32107E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOCR35101E, AOCR36330, AOCR32326, AOCA32112E, AOCA32116E, AOCA24108E, AOCA32106E, AOCA72114, IRF1405, AOCA24106C, AOCA24106E, AOCA33103E, AOCA33104A, AOCA33104E, AOCA72104E, AONT21313C, AONT32136C